MOSFET N-CH 40V 38A 200A 5DFN
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 38A（Ta），200A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1.4 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 70nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4300pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 |
| NVMFS5C430NLWFAFT3G | NVMFS5C430NL | NVMFS5C430NLT1G | NVMFS5C430NLT3G | NVMFS5C430NLWFT1G | NVMFS5C430NLWFT3G | NVMFS5C430NLAFT3G | NVMFS5C430NLAFT1G | NVMFS5C430NLWFAFT1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 38A 200A 5DFN | Single N-Channel Power MOSFET | Single N-Channel Power MOSFET | Single N-Channel Power MOSFET | Single N-Channel Power MOSFET | Single N-Channel Power MOSFET | MOSFET N-CH 40V 38A 200A 5DFN | MOSFET N-CH 40V 38A 200A 5DFN | MOSFET N-CH 40V 38A 200A 5DFN |
| Brand Name | - | - | ON Semiconduc | ON Semiconduc | ON Semiconduc | ON Semiconduc | - | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | - | - | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | - | 不含铅 | 不含铅 |
| 包装说明 | - | - | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | - | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 制造商包装代码 | - | - | 488AA | 488AA | 488AA | 488AA | - | 488AA | 488AA |
| Reach Compliance Code | - | - | _compli | _compli | _compli | _compli | - | not_compliant | not_compliant |
| 雪崩能效等级（Eas） | - | - | 493 mJ | 493 mJ | 493 mJ | 493 mJ | - | 493 mJ | 493 mJ |
| 外壳连接 | - | - | DRAIN | DRAIN | DRAIN | DRAIN | - | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | - | - | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V | - | 40 V | 40 V |
| 最大漏源导通电阻 | - | - | 0.0022 Ω | 0.0022 Ω | 0.0022 Ω | 0.0022 Ω | - | 0.0022 Ω | 0.0022 Ω |
| FET 技术 | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | - | - | R-PDSO-F5 | R-PDSO-F5 | R-PDSO-F5 | R-PDSO-F5 | - | R-PDSO-F5 | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码 | - | - | e3 | e3 | e3 | e3 | - | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | - | - | 1 | 1 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
| 元件数量 | - | - | 1 | 1 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | - | 5 | 5 | 5 | 5 | - | 5 | 5 |
| 工作模式 | - | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最低工作温度 | - | - | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | - | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | - | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | - | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | - | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | - | - | 900 A | 900 A | 900 A | 900 A | - | 900 A | 900 A |
| 参考标准 | - | - | AEC-Q101 | AEC-Q101 | AEC-Q101 | AEC-Q101 | - | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| 表面贴装 | - | - | YES | YES | YES | YES | - | YES | YES |
| 端子面层 | - | - | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) | - | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | - | - | FLAT | FLAT | FLAT | FLAT | - | FLAT | FLAT |
| 端子位置 | - | - | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | - | DUAL | DUAL |
| 晶体管元件材料 | - | - | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | - | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | - | - | 1 | 1 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
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