MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | P 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 6.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 37.5 毫欧 @ 6.3A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 21nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 746pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 6-DFN-EP（2x2） |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
