Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MX25L3273EM2I-10G

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MX25L3273EM2I-10G: 产品描述IC FLASH 32MBIT; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共86页; 制造商Macronix; 官网地址http://www.macronix.com/en-us/Pages/default.aspx; 标准

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MX25L3273EM2I-10G概述

IC FLASH 32MBIT

MX25L3273EM2I-10G规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Macronix
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP,
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
Factory Lead Time	16 weeks
其他特性	CAN BE ORGNISED AS 32 MBIT X 1
备用内存宽度	2
最大时钟频率 (fCLK)	104 MHz
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e3
长度	5.28 mm
内存密度	33554432 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	4
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	8
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	8MX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
编程电压	2.7 V
座面最大高度	2.16 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN (800)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	5.23 mm
Base Number Matches	1

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MX25L3273E

HIGH PERFORMANCE

SERIAL FLASH SPECIFICATION

P/N: PM1906

REV. 1.1, NOV. 07, 2013

MX25L3273E

Contents

1. FEATURES ........................................................................................................................................................ 4

2. GENERAL DESCRIPTION ............................................................................................................................... 6

Table 1. Read Performance ..................................................................................................................6

3. PIN CONFIGURATION ...................................................................................................................................... 7

4. PIN DESCRIPTION ............................................................................................................................................ 7

5. BLOCK DIAGRAM............................................................................................................................................. 8

6. DATA PROTECTION.......................................................................................................................................... 9

Table 2. Protected Area Sizes ..............................................................................................................10

Table 3. 4K-bit Secured OTP Definition

............................................................................................... 11

7. MEMORY ORGANIZATION ............................................................................................................................. 12

Table 4. Memory Organization .............................................................................................................12

8. DEVICE OPERATION ...................................................................................................................................... 13

9. COMMAND DESCRIPTION ............................................................................................................................. 14

Table 5. Command Sets .......................................................................................................................14

9-1. Write Enable (WREN) ..........................................................................................................................17

9-2. Write Disable (WRDI)...........................................................................................................................18

9-3. Read Identification (RDID)

...................................................................................................................19

9-4. Read Status Register (RDSR) .............................................................................................................20

9-5. Write Status Register (WRSR).............................................................................................................23

Table 6. Protection Modes....................................................................................................................24

9-6. Read Data Bytes (READ) ....................................................................................................................26

9-7. Read Data Bytes at Higher Speed (FAST_READ) ..............................................................................27

9-8. Dual Read Mode (DREAD) ..................................................................................................................28

9-9. 2 x I/O Read Mode (2READ) ...............................................................................................................29

9-10. Quad Read Mode (QREAD) ................................................................................................................30

9-11. 4 x I/O Read Mode (4READ) ...............................................................................................................31

9-12. Performance Enhance Mode ...............................................................................................................32

9-13. Performance Enhance Mode Reset (FFh) ...........................................................................................32

9-14. Sector Erase (SE) ................................................................................................................................35

9-15. Block Erase (BE) .................................................................................................................................36

9-16. Block Erase (BE32K) ...........................................................................................................................37

9-17. Chip Erase (CE) ...................................................................................................................................38

9-18. Page Program (PP) .............................................................................................................................39

9-19. 4 x I/O Page Program (4PP) ................................................................................................................40

9-20. Continuous Program mode (CP mode)................................................................................................43

9-21. Deep Power-down (DP) .......................................................................................................................45

9-22. Release from Deep Power-down (RDP), Read Electronic Signature (RES) .......................................46

9-23. Read Electronic Manufacturer ID & Device ID (REMS), (REMS2), (REMS4) .....................................48

9-24. ID Read ................................................................................................................................................49

Table 7. ID Definitions

.........................................................................................................................49

9-25. Enter Secured OTP (ENSO) ................................................................................................................49

9-26. Exit Secured OTP (EXSO) ...................................................................................................................49

9-27. Read Security Register (RDSCUR) .....................................................................................................50

Table 8. Security Register Definition

....................................................................................................51

9-28. Write Security Register (WRSCUR).....................................................................................................52

P/N: PM1906

REV. 1.1, NOV. 07, 2013

MX25L3273E

Write Protection Selection (WPSEL)....................................................................................................52

Single Block Lock/Unlock Protection (SBLK/SBULK) ..........................................................................56

Read Block Lock Status (RDBLOCK) ..................................................................................................59

Gang Block Lock/Unlock (GBLK/GBULK) ...........................................................................................60

Enable SO to Output RY/BY# (ESRY) .................................................................................................61

Disable SO to Output RY/BY# (DSRY) ................................................................................................61

No Operation (NOP) ............................................................................................................................61

Software Reset (Reset-Enable (RSTEN) and Reset (RST)) ...............................................................61

Read SFDP Mode (RDSFDP)..............................................................................................................62

Table 9. Signature and Parameter Identification Data Values

.............................................................63

Table 10. Parameter Table (0): JEDEC Flash Parameter Tables .........................................................64

Table 11. Parameter Table (1): Macronix Flash Parameter Tables.......................................................66

10. POWER-ON STATE ....................................................................................................................................... 68

11. ELECTRICAL SPECIFICATIONS .................................................................................................................. 69

11-1. Absolute Maximum Ratings .................................................................................................................69

11-2. Capacitance .........................................................................................................................................69

Table 12. DC Characteristics................................................................................................................71

Table 13. AC Characteristics ................................................................................................................72

12. TIMING ANALYSIS ........................................................................................................................................ 74

Table 14. Power-Up Timing .................................................................................................................75

12-1. Initial Delivery State .............................................................................................................................75

13. OPERATING CONDITIONS ........................................................................................................................... 76

14. ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE ........................................................................................ 78

15. DATA RETENTION ........................................................................................................................................ 78

16. LATCH-UP CHARACTERISTICS .................................................................................................................. 78

17. ORDERING INFORMATION .......................................................................................................................... 79

18. PART NAME DESCRIPTION ......................................................................................................................... 80

19. PACKAGE INFORMATION ............................................................................................................................ 81

20. REVISION HISTORY ..................................................................................................................................... 85

9-29.

9-30.

9-31.

9-32.

9-33.

9-34.

9-35.

9-36.

9-37.

P/N: PM1906

REV. 1.1, NOV. 07, 2013

MX25L3273EM2I-10G相似产品对比

	MX25L3273EM2I-10G	MX25L3273EMI-10G
描述	IC FLASH 32MBIT	Flash, 8MX4, PDSO16, 0.300 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-013, SOP-16
是否Rohs认证	符合	符合
零件包装代码	SOIC	SOIC
包装说明	SOP,	SOP,
针数	8	16
Reach Compliance Code	unknown	unknown
其他特性	CAN BE ORGNISED AS 32 MBIT X 1	CAN BE ORGNISED AS 32 MBIT X 1
备用内存宽度	2	2
最大时钟频率 (fCLK)	104 MHz	104 MHz
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G16
JESD-609代码	e3	e3
长度	5.28 mm	10.3 mm
内存密度	33554432 bit	33554432 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH
内存宽度	4	4
湿度敏感等级	3	3
功能数量	1	1
端子数量	8	16
字数	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
组织	8MX4	8MX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
编程电压	2.7 V	2.7 V
座面最大高度	2.16 mm	2.65 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN (800)	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40
宽度	5.23 mm	7.52 mm

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