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HB56UW264DB-5L: 产品描述EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144; 产品类别存储; 文件大小475KB，共32页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56UW264DB-5L概述

EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144

HB56UW264DB-5L规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM144,32
针数	144
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
座面最大高度	25.4 mm
自我刷新	YES
最大待机电流	0.0012 A
最大压摆率	0.88 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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HB56UW264DB Series

2,097,152-word

64-bit High Density Dynamic RAM Module

ADE-203-735A (Z)

Rev.1.0

Feb. 7, 1997

Description

The HB56UW264DB is a 2M

64 dynamic RAM Small Outline Dual In-line Memory Module

(S.O.DIMM), mounted 8 pieces of 16-Mbit DRAM (HM51W17805) sealed in TSOP package and 1 pieces

of serial EEPROM (24C02) for Presence Detect (PD). The HB56UW264DB offers Extended Data Out

(EDO) Page Mode as a high speed access mode. An outline of the HB56UW264DB is 144-pin Zig Zag

Dual tabs socket type compact and thin package. Therefore, the HB56UW264DB makes high density

mounting possible without surface mount technology. The HB56UW264DB provides common data inputs

and outputs. Decoupling capacitors are mounted on the module board.

Features

•

144-pin Zig Zag Dual tabs socket type



Outline: 67.60 mm (Length)

25.40 mm (Height)

3.80 mm (Thickness)



Lead pitch: 0.80 mm

•

Single 3.3 V (±0.3 V) supply

•

High speed



Access time: t

RAC

= 50/60/70 ns (max)

CAC

= 13/15/18 ns (max)

•

Low power dissipation



Active mode: 3.17/2.88/2.59 W (max)



Standby mode (TTL): 57.6 mW (max)

(CMOS): 4.32 mW (max) (L-version)

•

EDO page mode capability

•

Refresh period



2048 refresh cycles: 32 ms

128 ms (L-version)

•

4 variations of refresh



RAS-only

refresh



CAS-before-RAS

refresh



Hidden refresh



Self refresh (L-version)

HB56UW264DB-5L相似产品对比

	HB56UW264DB-5L	HB56UW264DB-6L	CCN-7908LF-03-2701-J-G	HB56UW264DB-5	HB56UW264DB-7	HB56UW264DB-7L
描述	EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144	Array/Network Resistor, Isolated, Tantalum Nitride/nickel Chrome, 0.1W, 2700ohm, 5% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, 3535,	EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, SODIMM-144
Reach Compliance Code	unknown	unknown	compliant	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
端子数量	144	144	20	144	144	144
最高工作温度	70 °C	70 °C	150 °C	70 °C	70 °C	70 °C
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	SMT	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
技术	CMOS	CMOS	TANTALUM NITRIDE/NICKEL CHROME	CMOS	CMOS	CMOS
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	-	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	MODULE	MODULE	-	MODULE	MODULE	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	-	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32
针数	144	144	-	144	144	144
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	-	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns	60 ns	-	50 ns	70 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	-	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	-	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	-	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64	64	-	64	64	64
功能数量	1	1	-	1	1	1
端口数量	1	1	-	1	1	1
字数	2097152 words	2097152 words	-	2097152 words	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	2000000	-	2000000	2000000	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
组织	2MX64	2MX64	-	2MX64	2MX64	2MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	-	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32	DIMM144,32	-	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
电源	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	2048	2048	-	2048	2048	2048
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm	-	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm
自我刷新	YES	YES	-	NO	NO	YES
最大待机电流	0.0012 A	0.0012 A	-	0.008 A	0.008 A	0.0012 A
最大压摆率	0.88 mA	0.8 mA	-	0.88 mA	0.72 mA	0.72 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	-	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	-	NO	NO	NO
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	-	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	-	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL

HB56UW264DB-5L

HB56UW264DB-5L概述

HB56UW264DB-5L规格参数

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HB56UW264DB-5L相似产品对比

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