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TSSE3U60 RVG

产品描述DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小298KB,共6页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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TSSE3U60 RVG概述

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE

TSSE3U60 RVG规格参数

参数名称属性值
二极管类型肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)60V
电流 - 平均整流(Io)3A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf580mV @ 3A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流1mA @ 60V
安装类型表面贴装
封装/外壳SOD-123H
供应商器件封装SOD-123HE
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

TSSE3U60 RVG相似产品对比

TSSE3U60 RVG TSSE3U45HRVG TSSE3U60HRVG
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
二极管类型 肖特基 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 - 符合 符合
厂商名称 - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Code - compliant compliant
ECCN代码 - EAR99 EAR99
其他特性 - LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS
应用 - EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 - CATHODE CATHODE
配置 - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 - SILICON SILICON
最大正向电压 (VF) - 0.47 V 0.58 V
JESD-30 代码 - R-PDSO-F2 R-PDSO-F2
JESD-609代码 - e3 e3
湿度敏感等级 - 1 1
最大非重复峰值正向电流 - 80 A 80 A
元件数量 - 1 1
相数 - 1 1
端子数量 - 2 2
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
最低工作温度 - -55 °C -55 °C
最大输出电流 - 3 A 3 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
参考标准 - AEC-Q101 AEC-Q101
最大重复峰值反向电压 - 45 V 60 V
最大反向电流 - 1000 µA 1000 µA
表面贴装 - YES YES
技术 - SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 - Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 - FLAT FLAT
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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