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MURS1J-TP

产品描述DIODE GEN PURP 1A 600V SMA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小261KB,共2页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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MURS1J-TP概述

DIODE GEN PURP 1A 600V SMA

MURS1J-TP规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)600V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.25V @ 1A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)75ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 600V
不同 Vr,F 时的电容15pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AC,SMA
供应商器件封装DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C

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MCC
Micro Commercial Components
R
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
MURS1J
Features
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
 
Lead
   
Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates
  
Free
 
 
RoHS

Compliant. See ordering information)
 
 

Epoxy meets

UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
Built-in strain relief
Marking :
UR1J
1 Amp Super Fast
Recovery Rectifier
600

Volts
DO-214AC

(SMA) (LEAD

FRAME)
H
Maximum Ratings
Operating Temperature: -65 to +175
Storage Temperature: -65 to +175
MCC
Part Number
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
600V
Maximum DC
Blocking
Voltage


J
Maximum
RMS Voltage
MURS1J
420V
600V
A
C
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
I
F(AV)
I
FSM
1.0A
30A
T
L
=
125
8.3ms, half sine
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
INCHES
MIN
.079
.050
.002
---
.030
.065
.189
.157
.090
E
F
G
D
B
DIMENSIONS
V
F
1.25V(max)
I = 1.0A;
FM
MAX
.096
.064
.008
.02
.060
.091
.220
.181
.115
MM
MIN
2.00
1.27
.05
---
.76
1.65
4.80
4.00
2.25
MAX
2.44
1.63
.20
.51
1.52
2.32
5.59
4.60
2.92
NOTE
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Maximum Reverse
Recovery Time
Typical Junction
Capacitance
I
R
5µA
100µA
T
A
= 25
T
A
= 100
I
F
=0.5A, I
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
SUGGESTED SOLDER
PAD LAYOUT
0.090”
T
rr
C
J
75ns
15pF
0.085”
Notes: 1.
High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7.
0.070”
Revision:
A
www.mccsemi.com
1 of
2
2015/01/17
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