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1N756A TR

产品描述DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小411KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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1N756A TR概述

DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35

1N756A TR规格参数

参数名称属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)8.2V
容差±5%
功率 - 最大值500mW
阻抗(最大值)(Zzt)8 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100nA @ 1V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.5V @ 200mA
工作温度-65°C ~ 200°C
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装DO-35

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1N746A THRU 1N759A
SILICON ZENER DIODES
500mW, 3.3 THRU 12 VOLT
5% TOLERANCE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N746A series
silicon Zener diode is a highly reliable voltage regulator
designed for use in industrial, commercial, entertainment
and computer applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
DO-35 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TL=75°C)
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
SYMBOL
PD
TJ, Tstg
500
-65 to +200
UNITS
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C) VF=1.5V MAX @ IF=200mA (for all types)
Zener
Voltage
VZ @ IZT
MIN
V
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.890
6.460
7.125
7.790
8.645
9.50
11.40
NOM
V
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
MAX
V
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.510
7.140
7.875
8.610
9.555
10.50
12.60
Test
Current
IZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
Maximum
Zener
Impedance
ZZT @ IZT
Ω
28
24
23
22
19
17
11
7.0
5.0
6.0
8.0
10
17
30
Maximum
Reverse Leakage
Current
IR
μA
10
10
10
2.0
2.0
1.0
1.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
@ VR
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
Maximum
Reverse Leakage
Current
@ TA=150°C
IR
μA
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
@ VR
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
Maximum
Regulator
Current
IZM
mA
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
Type
R1 (17-December 2013)
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