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RN1905FE,LF(CB

产品描述TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小546KB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN1905FE,LF(CB概述

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

RN1905FE,LF(CB规格参数

参数名称属性值
晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底(R1)2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)47 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)80 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值100mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装ES6

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RN1901FE~RN1906FE
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor)
RN1901FE, RN1902FE, RN1903FE
RN1904FE, RN1905FE, RN1906FE
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin)
package.
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
Reducing the parts count enables the manufacture of ever more compact
equipment and lowers assembly cost.
Complementary to RN2901FE to RN2906FE
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
C
Type No.
RN1901FE
RN1902FE
R2
RN1903FE
RN1904FE
E
RN1905FE
RN1906FE
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
B
R1
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-2N1G
Weight: 3 mg (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
(Q1, Q2 common)
Equivalent Circuit
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN1901FE to
RN1906FE
RN1901FE to
RN1904FE
RN1905FE
RN1906FE
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
50
50
10
V
EBO
5
I
C
P
C
(Note1)
T
j
T
stg
100
100
150
−55
to 150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
(top view)
6
5
4
Emitter-base voltage
Q1
Q2
Collector current
Collector power dissipation RN1901FE to
RN1906FE
Junction temperature
Storage temperature range
1
2
3
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute
maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Total rating
Note1:
Start of commercial production
2000-05
1
2014-03-01
[GD32E231 DIY大赛]作品提交:观赏鱼缸控制器
一、项目名称:观赏鱼缸控制器 二、项目简介: 观赏鱼缸控制器以兆易创新为本次大赛提供的Arm® Cortex®-M23内核GD32E231C-START评估板为基础进行学习、开发、验证。最终 ......
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