电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SR804 R0G

产品描述DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小200KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

SR804 R0G概述

DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO201AD

SR804 R0G规格参数

参数名称属性值
二极管类型肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)40V
电流 - 平均整流(Io)8A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf550mV @ 8A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流500µA @ 40V
安装类型通孔
封装/外壳DO-201AD,轴向
供应商器件封装DO-201AD
工作温度 - 结-55°C ~ 125°C

文档预览

下载PDF文档
SR802 thru SR820
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- Low forward voltage drop
- Low power loss, high efficiency
- Guardring for overvoltage protection
- High surge current capability
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Schottky Barrier Rectifier
MECHANICAL DATA
Case:
DO-201AD
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test,
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test
Weight:
1.1 g (approximately)
DO-201AD
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@8A
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
T
J
=100℃
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
0.55
0.5
I
R
dV/dt
R
θJA
T
J
T
STG
- 55 to +125
15
-
10
-
10000
40
- 55 to +150
- 55 to +150
SR
802
20
14
20
SR
803
30
21
30
SR
804
40
28
40
SR
805
50
35
50
SR
806
60
42
60
8
150
0.70
0.92
0.1
-
5
V/μs
O
SR
809
90
63
90
SR
810
100
70
100
SR
815
150
105
150
SR
820
200
140
200
UNIT
V
V
V
A
A
1.02
V
mA
Voltage rate of change (Rated V
R
)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
C/W
O
O
C
C
Document Number: DS_D1309011
Version: I13

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1859  506  2004  1861  440  12  5  45  44  13 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved