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JANTXV2N6768

产品描述Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小966KB,共9页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANTXV2N6768概述

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, TO-3, 2 PIN

JANTXV2N6768规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1401535213
零件包装代码TO-3
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)700 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (ID)14 A
最大漏源导通电阻0.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)56 A
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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