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PDTA115ES,126

产品描述TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小218KB,共15页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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PDTA115ES,126概述

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

PDTA115ES,126规格参数

参数名称属性值
晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值)20mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底(R1)100 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2)100 kOhms
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)80 @ 5mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)150mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)1µA
功率 - 最大值500mW
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装TO-92-3

PDTA115ES,126相似产品对比

PDTA115ES,126 PDTA115EE,115 PDTA115EK,115
描述 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
晶体管类型 PNP - 预偏压 - PNP - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 20mA - 20mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V - 50V
电阻器 - 基底(R1) 100 kOhms - 100 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2) 100 kOhms - 100 kOhms
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 5mA,5V - 80 @ 5mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 250µA,5mA - 150mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值) 1µA - 1µA
功率 - 最大值 500mW - 250mW
安装类型 通孔 - 表面贴装
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) - TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装 TO-92-3 - SMT3; MPAK

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