JFET P-CH 30V 400MW TO92-3
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | P 沟道 |
电压 - 击穿(V(BR)GSS) | 30V |
漏源电压(Vdss) | 30V |
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) | 20mA @ 15V |
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) | 5V @ 10nA |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 8pF @ 10V(VGS) |
电阻 - RDS(开) | 85 Ohms |
功率 - 最大值 | 400mW |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) |
供应商器件封装 | TO-92 |
J174,126 | J176126 | J177,126 | J175,116 | P-2208K2184BBTI | |
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描述 | JFET P-CH 30V 400MW TO92-3 | RF JFET Transistors J176/TO-92/STANDARD MARKING * | JFET P-CH 30V 400MW TO92-3 | JFET P-CH 30V 0.4W TO92 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.8W, 2180000ohm, 150V, 0.1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2208, CHIP |
是否Rohs认证 | - | - | 符合 | 符合 | 不符合 |
包装说明 | - | - | PLASTIC, SC-43, 3 PIN | PLASTIC, SC-43, 3 PIN | CHIP |
Reach Compliance Code | - | - | unknown | unknown | not_compliant |
ECCN代码 | - | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
JESD-609代码 | - | - | e3 | e3 | e0 |
端子数量 | - | - | 3 | 3 | 2 |
最高工作温度 | - | - | 150 °C | 150 °C | 155 °C |
封装形式 | - | - | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | SMT |
表面贴装 | - | - | NO | NO | YES |
端子面层 | - | - | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier |
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