MOSFET N-CH 80V 11A TO220
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 11A（Ta），105A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 7.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 81nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4870pF @ 40V |
| 功率耗散（最大值） | 2.1W（Ta），333W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
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