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PN4093

产品描述JFET N-CH 40V 0.625W TO92
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小55KB,共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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PN4093概述

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

PN4093规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
电压 - 击穿(V(BR)GSS)40V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)8mA @ 20V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)1V @ 1nA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)16pF @ 20V
电阻 - RDS(开)80 Ohms
功率 - 最大值625mW
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
供应商器件封装TO-92-3

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PN4091 / 4092 / 4093 / MMBF4091 / 4092 / 4093
PN4091
PN4092
PN4093
MMBF4091
MMBF4092
MMBF4093
G
D
G
S
TO-92
D
SOT-23
S
Mark: 61J / 61K / 61L
NOTE: Source & Drain
are interchangeable
N-Channel Switch
This device is designed for low level analog switching, sample
and hold circuits and chopper stabalized amplifiers. Sourced
from Process 51. See J111 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
,T
stg
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Forward Gate Current
TA = 25°C unless otherwise noted
Parameter
Value
40
- 40
50
-55 to +150
Units
V
V
mA
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25°C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
PN4091-4093
625
5.0
125
357
Max
*MMBF4091-4093
350
2.8
556
Units
mW
mW/°C
°C/W
°C/W
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997
Fairchild Semiconductor Corporation
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