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KSC1393OBU

产品描述TRANSISTOR NPN 30V 20MA TO-92
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小39KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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KSC1393OBU概述

TRANSISTOR NPN 30V 20MA TO-92

KSC1393OBU规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
电压 - 集射极击穿(最大值)30V
频率 - 跃迁700MHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)2dB ~ 3dB @ 200MHz
增益20dB ~ 24dB
功率 - 最大值250mW
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)60 @ 2mA,10V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)20mA
工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
供应商器件封装TO-92-3

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KSC1393
KSC1393
TV VHF Tuner RF Amplifier (Forward AGC)
• High Current Gain Bandwidth Product : f
T
=700MHz (TYP.)
• Low Noise Figure : NF=3.0dB (MAX.) at f=200MHz
• Low Reverse Transfer Capacitance : C
RE
=0.5pF (MAX.)
1
TO-92
1. Base 2. Emitter 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Ratings
30
30
4
20
250
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
f
T
C
RE
G
PE
I
AGC
NF
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
DC Current Gain
Current Gain Bandwidth Product
Reverse Transfer Capacitance
Power Gain
AGC Current
Noise Figure
Test Condition
I
C
=10µA, I
E
=0
I
C
=5mA, I
B
=0
I
E
=10µA, I
C
=0
V
CB
=20V, I
E
=0
V
CE
=10V, I
C
=2mA
V
CE
=10V, I
C
=3mA
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
V
CE
=10V, I
C
=3mA
f=200MHz
I
E
at G
R
= -30dB, f=200MHz
V
CE
=10V, I
C
= 3mA
f=200MHz
20
40
400
700
0.35
24
-10
2.0
-12
3.0
0.5
Min.
30
30
4
0.1
180
MHz
pF
dB
mA
dB
Typ.
Max.
Units
V
V
V
µA
h
FE
Classification
Classification
h
FE
R
40 ~ 80
O
60 ~ 140
Y
90 ~ 180
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B1, September 2002

KSC1393OBU相似产品对比

KSC1393OBU KSC1393OTA KSC1393YTA
描述 TRANSISTOR NPN 30V 20MA TO-92 TRANSISTOR NPN 30V 20MA TO-92 TRANSISTOR NPN 30V 20MA TO-92
晶体管类型 NPN NPN NPN
电压 - 集射极击穿(最大值) 30V 30V 30V
频率 - 跃迁 700MHz 700MHz 700MHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 2dB ~ 3dB @ 200MHz 2dB ~ 3dB @ 200MHz 2dB ~ 3dB @ 200MHz
增益 20dB ~ 24dB 20dB ~ 24dB 20dB ~ 24dB
功率 - 最大值 250mW 250mW 250mW
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 2mA,10V 60 @ 2mA,10V 90 @ 2mA,10V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 20mA 20mA 20mA
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ) 150°C(TJ)
安装类型 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

 
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