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KSC3123RMTF

产品描述TRANSISTOR NPN 20V 50MA SOT-23
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小64KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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KSC3123RMTF概述

TRANSISTOR NPN 20V 50MA SOT-23

KSC3123RMTF规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
电压 - 集射极击穿(最大值)20V
频率 - 跃迁1.4GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
增益20dB ~ 23dB
功率 - 最大值150mW
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)60 @ 5mA,10V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)50mA
工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

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KSC3123
KSC3123
Mixer for UHF TV Tuner
• G
CE
=23dB
• C
RE
=0.4pF
3
2
SOT-23
1. Base 2. Emitter 3. Collector
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Value
30
20
3
50
25
150
1500
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
BV
CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
RE
G
CE
NF
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Current Gain Bandwidth Product
Reverse Transfer Capacitance
Conversion Gain
Output Capacitance
Test Condition
I
C
=1mA, I
B
=0
V
CB
=25V, I
E
=0
V
EB
=3V, I
C
=0
V
CE
=10V, I
C
=5mA
V
CE
=10V, I
C
=5mA
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
V
CC
=12V, f=200MHz
f
L
=260MHz
V
CE
=12V, f=200MHz,
f
L
=260MHz
20
60
900
1400
0.4
23
3.8
5.5
0.5
Min.
20
Typ.
Max.
0.1
1
240
MHz
pF
dB
dB
Units
V
µA
µA
h
FE
Classification
Classification
h
FE
R
60 ~ 120
Marking
O
90 ~ 180
Y
120 ~ 240
HA O
h
FE
grade
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, September 2002

KSC3123RMTF相似产品对比

KSC3123RMTF KSC3123OMTF KSC3123YMTF
描述 TRANSISTOR NPN 20V 50MA SOT-23 TRANSISTOR NPN 20V 50MA SOT-23 TRANSISTOR NPN 20V 50MA SOT-23
晶体管类型 NPN NPN NPN
电压 - 集射极击穿(最大值) 20V 20V 20V
频率 - 跃迁 1.4GHz 1.4GHz 1.4GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
增益 20dB ~ 23dB 20dB ~ 23dB 20dB ~ 23dB
功率 - 最大值 150mW 150mW 150mW
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 5mA,10V 90 @ 5mA,10V 120 @ 5mA,10V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA 50mA 50mA
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ) 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236) SOT-23-3(TO-236) SOT-23-3(TO-236)

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