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FJV3108RMTF

产品描述TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小53KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FJV3108RMTF在线购买

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FJV3108RMTF概述

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

FJV3108RMTF规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底(R1)47 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2)22 kOhms
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)56 @ 5mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

FJV3108RMTF相似产品对比

FJV3108RMTF
描述 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基底(R1) 47 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2) 22 kOhms
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 5mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
频率 - 跃迁 250MHz
功率 - 最大值 200mW
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