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KSA642OBU: 产品描述TRANS PNP 25V 0.3A TO-92; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小37KB，共4页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn; 标准

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KSA642OBU概述

TRANS PNP 25V 0.3A TO-92

KSA642OBU规格参数

参数名称	属性值
晶体管类型	PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	300mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	25V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	600mV @ 30mA，300mA
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	70 @ 50mA，1V
功率 - 最大值	400mW
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装	TO-92-3

KSA642OBU相似产品对比

	KSA642OBU	KSA642GBU	KSA642CYTA	KSA642CGBU	KSA642OTA	KSA642YTA	KSA642CYBU
描述	TRANS PNP 25V 0.3A TO-92	TRANS PNP 25V 0.3A TO-92	TRANS PNP 25V 0.3A TO-92	TRANS PNP 25V 0.3A TO-92	TRANS PNP 25V 0.3A TO-92	TRANS PNP 25V 0.3A TO-92	TRANS PNP 25V 0.3A TO-92
晶体管类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	300mA	300mA	300mA	300mA	300mA	300mA	300mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	25V	25V	25V	25V	25V	25V	25V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	600mV @ 30mA，300mA	600mV @ 30mA，300mA	600mV @ 30mA，300mA	600mV @ 30mA，300mA	600mV @ 30mA，300mA	600mV @ 30mA，300mA	600mV @ 30mA，300mA
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）	100nA（ICBO）	100nA（ICBO）	100nA（ICBO）	100nA（ICBO）	100nA（ICBO）	100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	70 @ 50mA，1V	200 @ 50mA，1V	120 @ 50mA，1V	200 @ 50mA，1V	70 @ 50mA，1V	120 @ 50mA，1V	120 @ 50mA，1V
功率 - 最大值	400mW	400mW	400mW	400mW	400mW	400mW	400mW
工作温度	150°C（TJ）	150°C（TJ）	150°C（TJ）	150°C（TJ）	150°C（TJ）	150°C（TJ）	150°C（TJ）
安装类型	通孔	通孔	通孔	通孔	通孔	通孔	通孔
封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3

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