电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

KSD227YTA

产品描述TRANS NPN 25V 0.3A TO-92
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小38KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

KSD227YTA概述

TRANS NPN 25V 0.3A TO-92

KSD227YTA规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)300mA
电压 - 集射极击穿(最大值)25V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)400mV @ 30mA,300mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)120 @ 50mA,1V
功率 - 最大值400mW
工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装TO-92-3

KSD227YTA相似产品对比

KSD227YTA KSD227GBU KSD227YBU KSD227GTA
描述 TRANS NPN 25V 0.3A TO-92 TRANS NPN 25V 0.3A TO-92 TRANS NPN 25V 0.3A TO-92 TRANS NPN 25V 0.3A TO-92
晶体管类型 NPN NPN NPN NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 300mA 300mA 300mA 300mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 25V 25V 25V 25V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 400mV @ 30mA,300mA 400mV @ 30mA,300mA 400mV @ 30mA,300mA 400mV @ 30mA,300mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO) 100nA(ICBO) 100nA(ICBO) 100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 50mA,1V 200 @ 50mA,1V 120 @ 50mA,1V 200 @ 50mA,1V
功率 - 最大值 400mW 400mW 400mW 400mW
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ) 150°C(TJ) 150°C(TJ)
安装类型 通孔 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 191  445  847  1358  1535 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved