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GPA020A120MN-FD

产品描述IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小456KB,共9页
制造商Global Communications
标准
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GPA020A120MN-FD概述

IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

GPA020A120MN-FD规格参数

参数名称属性值
IGBT 类型沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)60A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)2.5V @ 15V,20A
功率 - 最大值223W
开关能量2.8mJ(开),480µJ(关)
输入类型标准
栅极电荷210nC
25°C 时 Td(开/关)值30ns/150ns
测试条件600V,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)425ns
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-3
供应商器件封装TO-3PN
我在仿真时出现如下提示!斑竹帮忙看看!!
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