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10DDA40

产品描述Low Forward Voltage drop Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小35KB,共5页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
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10DDA40概述

Low Forward Voltage drop Diode

10DDA40规格参数

参数名称属性值
厂商名称Nihon Inter Electronics Corporation
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流45 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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½
DIODE
Type :
10DDA40
1A 400V Tj =150
°
C
OUTLINE DRAWING
FEATURES
* Miniature Size
* Low Forward Voltage drop
* Low Reverse Leakage Current
* High Surge Capability
* 52mm Inside Tape Spacing Package Available
Maximum Ratings
Rating
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
RMS Forward Current
Surge Forward Current
Operating JunctionTemperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
V
RRM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
T
jw
T
stg
Approx Net Weight:0.32g
10DDA40
400
50Hz
Ta=58°C *1
Half Sine Wave
Tl=132°C
Resistive Load (Tl=Lead Temperature
50Hz Half Sine Wave,1cycle,
Non-repetitive
- 40 to + 150
- 40 to + 150
Unit
V
1.0
1.57
45
A
A
A
°C
°C
Electrical
Thermal Characteristics
Characteristics
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
Symbol
Conditions
Tj= 25°C, V
RM
= V
RRM
Tj= 25°C, I
FM
= 1.0A
Junction to Ambient *1
Junction to Lead
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
10
1.0
91
17
Unit
µA
V
°C/W
I
RM
V
FM
Rth(j-a)
Thermal Resistance
Rth(j-l)
*1: Without Fin or P.C. Board mounted
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