电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

AON6932

产品描述MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小193KB,共1页
制造商AOS
官网地址http://www.aosmd.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

AON6932概述

MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN

AON6932规格参数

参数名称属性值
FET 类型2 个 N 通道(半桥)
FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)22A,36A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1037pF @ 15V
功率 - 最大值3.6W,4.3W
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerVDFN
供应商器件封装8-DFN(5x6)

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 177  401  884  985  989 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved