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MX25U8033EM2I-12G

产品描述IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOP
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共72页
制造商Macronix
官网地址http://www.macronix.com/en-us/Pages/default.aspx
标准
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MX25U8033EM2I-12G概述

IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOP

MX25U8033EM2I-12G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Macronix
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.3
针数8
Reach Compliance Codeunknown
Factory Lead Time16 weeks
其他特性CAN BE ORGANISED AS 8 MBIT X 1
备用内存宽度2
最大时钟频率 (fCLK)80 MHz
数据保留时间-最小值20
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度5.28 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度4
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量8
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.16 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000008 A
最大压摆率0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)2 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
类型NOR TYPE
宽度5.23 mm
写保护HARDWARE/SOFTWARE

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MX25U8033E
MX25U8033E
1.8V, 8M-BIT [x 1/x 2/x 4]
CMOS MXSMIO
®
(SERIAL MULTI I/O)
FLASH MEMORY
Key Features
• HOLD feature
• Multi I/O Support - Single I/O, Dual I/O and Quad I/O
• Auto Erase and Auto Program Algorithm
• Low Power Consumption
• Individual Protect
P/N: PM1718
1
Rev. 1.8, October 24, 2017

MX25U8033EM2I-12G相似产品对比

MX25U8033EM2I-12G MX25U8033EBAI-12G MX25U8033EZUI-12G MX25U8033EZNI-12G MX25U8033EM1I-12G
描述 IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOP IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WLCSP IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8USON IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOP
技术 CMOS FLASH - NOR FLASH - NOR CMOS CMOS
是否Rohs认证 符合 - - 符合 符合
厂商名称 Macronix - - Macronix Macronix
零件包装代码 SOIC - - QFN SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.3 - - HVSON, SOLCC8,.25 SOP, SOP8,.25
针数 8 - - 8 8
Reach Compliance Code unknown - - unknown unknown
Factory Lead Time 16 weeks - - 16 weeks 16 weeks
其他特性 CAN BE ORGANISED AS 8 MBIT X 1 - - CAN BE ORGANISED AS 8 MBIT X 1 CAN BE ORGANISED AS 8 MBIT X 1
备用内存宽度 2 - - 2 2
最大时钟频率 (fCLK) 80 MHz - - 80 MHz 80 MHz
数据保留时间-最小值 20 - - 20 20
耐久性 100000 Write/Erase Cycles - - 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 - - R-PDSO-N8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 - - e3 e3
长度 5.28 mm - - 6 mm 4.9 mm
内存密度 8388608 bit - - 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 FLASH - - FLASH FLASH
内存宽度 4 - - 4 4
湿度敏感等级 3 - - 3 3
功能数量 1 - - 1 1
端子数量 8 - - 8 8
字数 2097152 words - - 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 - - 2000000 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS - - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - - 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - - -40 °C -40 °C
组织 2MX4 - - 2MX4 2MX4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP - - HVSON SOP
封装等效代码 SOP8,.3 - - SOLCC8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - - SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL - - SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 - - 260 260
电源 1.8 V - - 1.8 V 1.8 V
编程电压 1.8 V - - 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.16 mm - - 0.8 mm 1.75 mm
串行总线类型 SPI - - SPI SPI
最大待机电流 0.000008 A - - 0.000008 A 0.000008 A
最大压摆率 0.025 mA - - 0.025 mA 0.025 mA
最大供电电压 (Vsup) 2 V - - 2 V 2 V
最小供电电压 (Vsup) 1.65 V - - 1.65 V 1.65 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V - - 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES - - YES YES
温度等级 INDUSTRIAL - - INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - - Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING - - NO LEAD GULL WING
端子节距 1.27 mm - - 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL - - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - - 40 40
类型 NOR TYPE - - NOR TYPE NOR TYPE
宽度 5.23 mm - - 5 mm 3.9 mm
写保护 HARDWARE/SOFTWARE - - HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE
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