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1N5553C.TR

产品描述DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小156KB,共4页
制造商SEMTECH
官网地址http://www.semtech.com
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1N5553C.TR概述

DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

1N5553C.TR规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)800V
电流 - 平均整流(Io)5A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 3A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)2µs
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流1µA @ 800V
不同 Vr,F 时的电容92pF @ 5V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳轴向
供应商器件封装轴向

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POWER DISCRETES
Description
Quick reference data
V
R
= 200 - 1000V
I
F =
5.0A
t
rr
= 2µS
V
F
= 1.0V
1N5550 THRU 1N5554
3SM2 THRU 3SM0
Axial Leaded Hermetically Sealed
Standard Recovery Rectifier Diode
Features
Low reverse leakage current
Hermetically sealed in fused metal oxide
Good thermal shock resistance
Low forward voltage drop
Avalanche capability
These products are qualified to MIL-PRF-19500/420.
They can be supplied fully released as JAN, JANTX,
JANTXV, and JANS versions.
Absolute Maximum Ratings
Electrical specifications @ T
A
= 25°C unless otherwise specified.
Symbol
Working Reverse Voltage
Average Forward Current
@ 55°C in free air, lead length
0.375"
Repetitive Surge Current
@ 55°C in free air, lead length
0.375"
Non-Repetitive Surge Current
(tp = 8.3mS @ V
R
& T
JMAX
)
(tp = 8.3mS, @ V
R
& 25°C)
Storage Temperature Range
V
RWM
I
F(AV)
1N 5550
3SM2
200
1N 5551
3SM4
400
1N 5552
3SM6
600
5.0
1N 5553
3SM8
800
1N 5554
3SM0
1000
Units
V
A
I
FRM
25
A
I
FSM
T
STG
100
150
-65 to +175
A
°C
Revision: September 22, 2008
1
www.semtech.com

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