512K X 36 ZBT SRAM, 4.2 ns, PBGA119
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 119 |
最大工作温度 | 85 Cel |
最小工作温度 | -40 Cel |
最大供电/工作电压 | 2.62 V |
最小供电/工作电压 | 2.38 V |
额定供电电压 | 2.5 V |
最大存取时间 | 4.2 ns |
加工封装描述 | 14 X 22 MM, MS-028-AA, BGA-119 |
状态 | ACTIVE |
工艺 | CMOS |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | GRID ARRAY |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | BALL |
端子间距 | 1.27 mm |
端子涂层 | TIN LEAD |
端子位置 | BOTTOM |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
温度等级 | INDUSTRIAL |
内存宽度 | 36 |
组织 | 512K X 36 |
存储密度 | 1.89E7 deg |
操作模式 | SYNCHRONOUS |
位数 | 524288 words |
位数 | 512K |
内存IC类型 | ZBT SRAM |
串行并行 | PARALLEL |
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