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IDT71T75602S133BG

产品描述512K X 36 ZBT SRAM, 4.2 ns, PBGA119
产品类别存储   
文件大小234KB,共26页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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IDT71T75602S133BG概述

512K X 36 ZBT SRAM, 4.2 ns, PBGA119

IDT71T75602S133BG规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量119
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压2.62 V
最小供电/工作电压2.38 V
额定供电电压2.5 V
最大存取时间4.2 ns
加工封装描述14 X 22 MM, MS-028-AA, BGA-119
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸GRID ARRAY
表面贴装Yes
端子形式BALL
端子间距1.27 mm
端子涂层TIN LEAD
端子位置BOTTOM
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度36
组织512K X 36
存储密度1.89E7 deg
操作模式SYNCHRONOUS
位数524288 words
位数512K
内存IC类型ZBT SRAM
串行并行PARALLEL

 
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