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RN4909(T5L,F,T)

产品描述TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小245KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN4909(T5L,F,T)概述

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

RN4909(T5L,F,T)规格参数

参数名称属性值
晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底(R1)47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)22 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)70 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装US6

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RN4909
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP/NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor)
RN4909
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
R1: 47kΩ
R2: 22kΩ
(Q1, Q2 Common)
Q1 Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Rating
−50
−50
−15
−100
Unit
V
V
V
mA
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-2J1A
Weight: 6.8mg (typ.)
Q2 Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Rating
50
50
15
100
Unit
V
V
V
mA
Start of commercial production
1998-02
1
2014-03-01

RN4909(T5L,F,T)相似产品对比

RN4909(T5L,F,T) RN4909,LF(CT
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