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RN2968FE(TE85L,F)

产品描述TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小377KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2968FE(TE85L,F)概述

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

RN2968FE(TE85L,F)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)80
元件数量2
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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RN2967FE~RN2969FE
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)
RN2967FE, RN2968FE, RN2969FE
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin)
package.
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
Reducing the parts count enables the manufacture of ever more
compact equipment and lowers assembly cost.
Complementary to RN1967FE to RN1969FE
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
C
Type No.
RN2967FE
RN2968FE
R1 (kΩ)
10
22
47
R2 (kΩ)
47
47
22
B
R1
R2
RN2969FE
E
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-2N1A
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
(Q1, Q2 common)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN2967FE
Emitter-base voltage
RN2968FE
RN2969FE
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
I
C
P
C
(Note 1)
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
−50
−50
−6
−7
−15
−100
100
150
−55
to 150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
Weight: 3 mg (typ.)
Equivalent Circuit
(top view)
6
5
4
Q1
Q2
1
2
3
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in temperature,
etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba
Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating
Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Note 1: Total rating
Start of commercial production
2000-05
1
2014-03-01

RN2968FE(TE85L,F)相似产品对比

RN2968FE(TE85L,F) RN2967FE(TE85L,F) RN2969FE(TE85L,F)
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
是否Rohs认证 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 80 80 70
元件数量 2 2 2
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W 0.1 W 0.1 W
表面贴装 YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
厂商名称 - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
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