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RJU6053TDPP-EJ#T2

产品描述DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小80KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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RJU6053TDPP-EJ#T2概述

DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

RJU6053TDPP-EJ#T2规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)600V
电流 - 平均整流(Io)20A(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf3V @ 20A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)25ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流1µA @ 600V
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-2 整包
供应商器件封装TO-220FP-2L
工作温度 - 结150°C(最大)

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Preliminary
Datasheet
RJU6053TDPP-EJ
Single Diode
Ultra Fast Recovery Diode
Features
Ultra fast reverse recovery time: t
rr
= 25 ns typ. (at I
F
= 20 A, di/dt = 100 A/μs)
Low forward voltage: V
F
= 2.5 V typ. (at I
F
= 20 A)
Low reverse current: I
R
= 1
μA
max. (at V
R
= 600 V)
R07DS0383EJ0100
Rev.1.00
Apr 26, 2011
Outline
RENESAS Package code: PRSS0002ZA-A
(Package name: TO-220FP-2L)
1
1. Cathode
2. Anode
2
1
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Maximum reverse voltage
Continuous forward current
Symbol
V
RM
I
F
I
F
I
FSM
θj-cd
Tj
Tstg
Ratings
600
20
10
60
2.5
150
–55 to +150
Unit
V
A
A
A
°C/W
°C
°C
Tc = 25°C
Tc = 100°C
Peak surge forward current
Junction to case thermal resistance
Junction temperature
Storage temperature
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Forward Voltage
Reverse current
Reverse Recovery Time
Symbol
V
F
I
R
t
rr
Min
Typ
2.5
25
Max
3.0
1
Unit
V
μA
ns
Test conditions
I
F
= 20 A
V
R
= 600 V
I
F
= 20 A, di/dt = 100 A/μs
R07DS0383EJ0100 Rev.1.00
Apr 26, 2011
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RJU6053TDPP-EJ#T2相似产品对比

RJU6053TDPP-EJ#T2 RJU6053TDPP-EJ-T2
描述 DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP 20 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, TO-220FP, 2 PIN
二极管类型 标准 RECTIFIER DIODE
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