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SI4804CDY-T1-E3

产品描述MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小91KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI4804CDY-T1-E3概述

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

SI4804CDY-T1-E3规格参数

参数名称属性值
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能标准
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)8A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)22 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)865pF @ 15V
功率 - 最大值3.1W
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO

SI4804CDY-T1-E3相似产品对比

SI4804CDY-T1-E3 Si4804CDY
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
呵呵 我是soso 我回来了 ~~~
嘿嘿 休假归来,上来看看有没有特别的垃圾帖,一下子看到了还有个“soso不在”的帖子,呵呵 边看边感动着.....休假是为了更好地调节自己的状态,事前没有跟大家打招呼,呵呵,这是我的不对,下次一定向坛子请假的。其实坛子里除了我之外,管理员小志和各个版块的版主在呵护着坛子,大家在我不在的时候,也可以随时联系他们,他们和我一样都会很热心地帮大家做一些事情的。[url=http://bbs.eeworl...
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