MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 90A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 6.9 毫欧 @ 90A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 40µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 56nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 79W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3-11 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| IPD90N06S407ATMA2 | IPD90N06S4-07 | IPD90N04S6-07 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | Switching Voltage Regulators Auto Transformer Dvr | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
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