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MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | P 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 10A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 44 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 19nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | +10V，-20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 930pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 27W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | DPAK+ |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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