1M X 1 CONFIGURATION MEMORY, PDSO20
1M × 1 配置存储器, PDSO20
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | XILINX(赛灵思) |
零件包装代码 | TSSOP |
包装说明 | TSSOP, TSSOP20,.25 |
针数 | 20 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 12 weeks |
其他特性 | IT CAN ALSO OPERATES AT 2.5, 3.3 VOLT NOMINAL |
数据保留时间-最小值 | 20 |
耐久性 | 20000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G20 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 6.5024 mm |
内存密度 | 1048576 bi |
内存集成电路类型 | CONFIGURATION MEMORY |
内存宽度 | 1 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 20 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 1MX1 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP20,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 1.8/3.3,3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.19 mm |
最大待机电流 | 0.001 A |
最大压摆率 | 0.01 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 4.4 mm |
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