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XN121F: 产品描述Composite Device - Composite Transistors; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小30KB，共2页; 制造商Panasonic(松下); 官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html

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XN121F概述

Composite Device - Composite Transistors

参数名称	属性值
零件包装代码	SC-74A
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数	5
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 2.13
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	30
JESD-30 代码	R-PDSO-G5
元件数量	2
端子数量	5
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	150 MHz
Base Number Matches	1

	XN121F	XN2211
描述	Composite Device - Composite Transistors	Composite Device - Composite Transistors
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5	MINI PACKAGE-5
针数	5	5
Reach Compliance Code	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 2.13	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V
配置	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	COMMON BASE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	30	35
JESD-30 代码	R-PDSO-G5	R-PDSO-G5
元件数量	2	2
端子数量	5	5
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W	0.3 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	150 MHz	150 MHz
Base Number Matches	1	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ