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VS-20CTQ150STRLHM3

产品描述DIODE SCHOTTKY 150V 10A D2PAK
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小231KB,共10页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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VS-20CTQ150STRLHM3在线购买

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VS-20CTQ150STRLHM3概述

DIODE SCHOTTKY 150V 10A D2PAK

VS-20CTQ150STRLHM3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time26 weeks
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流180 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向电流25 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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VS-20CTQ150SHM3, VS-20CTQ150-1HM3
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 10 A
TO-263AB (D
2
PAK)
TO-262AA
FEATURES
• 175 °C T
J
operation
• Center tap configuration
• Low forward voltage drop
• High frequency operation
Base
common
cathode
2
Base
common
cathode
2
• High purity, high temperature epoxy
encapsulation for enhanced mechanical
strength and moisture resistance
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
2
1 Common
3
Anode cathode Anode
2
1 Common
3
Anode cathode Anode
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °C
• AEC-Q101 qualified meets JESD-201 class 1A whisker
test
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
VS-20CTQ150SHM3
VS-20CTQ150-1HM3
PRODUCT SUMMARY
Package
I
F(AV)
V
R
V
F
at I
F
I
RM
max.
T
J
max.
E
AS
Diode variation
TO-263AB (D
2
PAK), TO-262AA
2 x 10 A
150 V
0.66 V
5.0 mA at 125 °C
175 °C
1.0 mJ
Common cathode
DESCRIPTION
This center tap Schottky rectifier has been optimized for low
reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier
technology allows for reliable operation up to 175 °C
junction temperature. Typical applications are in switching
power supplies, converters, freewheeling diodes, and
reverse battery protection.
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs sine
10 A
pk
, T
J
= 125 °C (per leg)
Range
CHARACTERISTICS
Rectangular waveform
VALUES
20
150
1030
0.66
-55 to +175
UNITS
A
V
A
V
°C
VOLTAGE RATINGS
PARAMETER
Maximum DC reverse voltage
Maximum working peak reverse voltage
SYMBOL
V
R
V
RWM
VS-20CTQ150SHM3
VS-20CTQ150-1HM3
150
UNITS
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Maximum average forward
per leg
current
per device
See fig. 5
Maximum peak one cycle
non-repetitive surge current per leg
See fig. 7
Non-repetitive avalanche energy per leg
Repetitive avalanche current per leg
SYMBOL
I
F(AV)
I
FSM
E
AS
I
AR
TEST CONDITIONS
50 % duty cycle at T
C
= 154 °C, rectangular waveform
5 μs sine or 3 μs rect. pulse
10 ms sine or 6 ms rect. pulse
T
J
= 25 °C, I
AS
= 1 A, L = 2 mH
Current decaying linearly to zero in 1 μs
Frequency limited by T
J
maximum V
A
= 1.5 x V
R
typical
Following any rated
load condition and with
rated V
RRM
applied
VALUES
10
20
1030
180
1.0
1
mJ
A
A
UNITS
Revision: 21-Aug-14
Document Number: 95739
1
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DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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