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AOD4158P

产品描述MOSFET N-CH 30V 13A TO252
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小429KB,共6页
制造商AOS
官网地址http://www.aosmd.com
标准
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AOD4158P概述

MOSFET N-CH 30V 13A TO252

AOD4158P规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)13A(Ta),46A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)9 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)18nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1500pF @ 15V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta),32W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装TO-252,(D-Pak)
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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