TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF300R07ME4_B11
EconoDUAL™3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundNTC
EconoDUAL™3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandNTC
V
CES
= 650V
I
C nom
= 300A / I
CRM
= 600A
TypischeAnwendungen
• Hybrid-Nutzfahrzeuge
• Motorantriebe
• SolarAnwendungen
• USV-Systeme
ElektrischeEigenschaften
• ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V
• ErhöhteZwischenkreisspannung
•
Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender
Kurzschlussstrom
• TrenchIGBT4
• T
vjop
=150°C
MechanischeEigenschaften
• IntegrierterNTCTemperaturSensor
• IsolierteBodenplatte
• Kupferbodenplatte
• PressFITVerbindungstechnik
• RobusteselbsteinpressendeMontage
• Standardgehäuse
TypicalApplications
• CommercialAgricultureVehicles
• MotorDrives
• SolarApplications
• UPSSystems
ElectricalFeatures
• Increasedblockingvoltagecapabilityto650V
• IncreasedDClinkVoltage
•
High Short Circuit Capability, Self Limiting Short
CircuitCurrent
• TrenchIGBT4
• T
vjop
=150°C
MechanicalFeatures
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• IsolatedBasePlate
• CopperBasePlate
• PressFITContactTechnology
• RuggedselfactingPressFITassembly
• StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2014-12-15
revision:3.1
1
ULapproved(E83335)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:KY
approvedby:KV
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF300R07ME4_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 80°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
V
CES
650
300
390
600
1100
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,068
0,069
0,072
0,06
0,065
0,066
0,38
0,41
0,42
0,074
0,097
0,105
1,80
2,80
3,25
14,0
18,0
19,0
1400
5,10
typ.
1,55
1,70
1,75
5,80
3,30
0,67
18,5
0,57
1,0
100
max.
1,95
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
0,138 K/W
0,041
-40
150
K/W
°C
V
A
A
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 300 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 300 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 300 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 4,80 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 650 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 300 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 2,2
Ω
I
C
= 300 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 2,2
Ω
I
C
= 300 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 2,2
Ω
I
C
= 300 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 2,2
Ω
6,40
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 300 A, V
CE
= 300 V, L
S
= 30 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 4500 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 2,2
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 300 A, V
CE
= 300 V, L
S
= 30 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 2,2
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 360 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:KY
approvedby:KV
dateofpublication:2014-12-15
revision:3.1
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF300R07ME4_B11
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
650
300
600
8800
7850
typ.
1,55
1,50
1,45
150
210
225
18,5
22,0
25,5
4,05
6,45
7,45
max.
1,95
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
0,215 K/W
0,041
-40
150
K/W
°C
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 300 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 300 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 300 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 300 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 300 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 300 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
C
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
3375
3411
3433
-5
min.
typ.
5,00
5
20,0
max.
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:KY
approvedby:KV
dateofpublication:2014-12-15
revision:3.1
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF300R07ME4_B11
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
Gewicht
Weight
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
CTI
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
min.
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
M
M
G
-40
3,00
3,0
-
345
2,5
Cu
Al
2
O
3
14,5
13,0
12,5
10,0
> 200
typ.
20
1,00
125
6,00
6,0
max.
nH
mΩ
°C
Nm
Nm
g
kV
mm
mm
preparedby:KY
approvedby:KV
dateofpublication:2014-12-15
revision:3.1
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF300R07ME4_B11
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
600
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
600
540
480
420
360
I
C
[A]
300
240
180
120
60
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
540
480
420
360
I
C
[A]
300
240
180
120
60
0
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
V
CE
[V]
2,0
2,4
2,8
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
600
540
480
420
360
300
240
180
120
60
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=2.2Ω,R
Goff
=2.2Ω,V
CE
=300V
60
55
50
45
40
35
E [mJ]
30
25
20
15
10
5
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
I
C
[A]
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
0
0
100
200
300
I
C
[A]
400
500
600
preparedby:KY
approvedby:KV
dateofpublication:2014-12-15
revision:3.1
5
嵌入式系统
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