TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R12KS4
62mmC-SerienModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten
62mmC-SeriesmodulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitching
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 200A / I
CRM
= 400A
TypischeAnwendungen
• AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen
• MedizinischeAnwendungen
• Motorantriebe
• AnwendungenfürResonanzUmrichter
• Servoumrichter
• USV-Systeme
ElektrischeEigenschaften
•
Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender
Kurzschlussstrom
• NiedrigeSchaltverluste
• SehrgroßeRobustheit
• V
CEsat
mitpositivemTemperaturkoeffizienten
MechanischeEigenschaften
• GehäusemitCTI>400
• GroßeLuft-undKriechstrecken
• IsolierteBodenplatte
• Kupferbodenplatte
• Standardgehäuse
TypicalApplications
• HighFrequencySwitchingApplication
• MedicalApplications
• MotorDrives
• ResonantInverterAppliccations
• ServoDrives
• UPSSystems
ElectricalFeatures
•
High Short Circuit Capability, Self Limiting Short
CircuitCurrent
• LowSwitchingLosses
• UnbeatableRobustness
• V
CEsat
withpositiveTemperatureCoefficient
MechanicalFeatures
• PackagewithCTI>400
• HighCreepageandClearanceDistances
• IsolatedBasePlate
• CopperBasePlate
• StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.4
1
ULapproved(E83335)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:MB
approvedby:WR
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R12KS4
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 65°C, T
vj max
= 150°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 150°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 150
V
CES
1200
200
275
400
1400
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
t
d on
4,5
typ.
3,20
3,85
5,5
2,10
2,5
13,0
0,85
0,10
0,11
0,06
0,07
0,53
0,55
0,03
0,04
max.
3,70
6,5
5,0
400
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
V
A
A
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 200 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 200 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 8,00 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 4,7
Ω
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 4,7
Ω
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 4,7
Ω
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 4,7
Ω
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 60 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 3500 A/µs
R
Gon
= 4,7
Ω
I
C
= 200 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 60 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 7000 V/µs
R
Goff
= 4,7
Ω
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 900 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
r
t
d off
t
f
E
on
19,0
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
12,0
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 125°C
1300
0,03
A
0,09 K/W
K/W
125
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:MB
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.4
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R12KS4
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
V
F
I
RM
1200
200
400
8500
typ.
2,00
1,70
140
210
11,5
32,0
4,20
11,0
0,06
125
max.
2,40
V
V
A
A
µC
µC
mJ
mJ
V
A
A
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 200 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 200 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 200 A, - di
F
/dt = 3500 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
I
F
= 200 A, - di
F
/dt = 3500 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
I
F
= 200 A, - di
F
/dt = 3500 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
proDiode/perdiode
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
0,18 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:MB
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.4
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R12KS4
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
V
ISOL
CTI
min.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
Gewicht
Weight
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
R
thCH
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
M
M
G
-40
3,00
2,5
2,5
Cu
Al
2
O
3
29,0
23,0
23,0
11,0
> 400
typ.
0,01
20
0,70
-
-
340
125
6,00
5,0
max.
K/W
nH
mΩ
°C
Nm
Nm
g
kV
mm
mm
preparedby:MB
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.4
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R12KS4
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=125°C
400
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
400
350
300
250
I
C
[A]
200
150
100
50
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
350
300
250
I
C
[A]
200
150
100
50
0
V
GE
=8V
V
GE
= 9V
V
GE
= 10V
V
GE
= 12V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
V
CE
[V]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
V
CE
[V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
400
350
300
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=4.7Ω,R
Goff
=4.7Ω,V
CE
=600V
60
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
50
40
250
200
150
20
100
10
50
0
0
E [mJ]
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
I
C
[A]
30
0
50
100
150
200
I
C
[A]
250
300
350
400
preparedby:MB
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.4
5
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
