MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 26A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 120 毫欧 @ 8.2A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 410µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 36nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1544pF @ 400V |
| 功率耗散（最大值） | 95W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| IPW60R120P7XKSA1 | IPW60R120P7 | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3 | The 600V CoolMOS™ P7 is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency. |
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