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FQA11N90-F109

产品描述MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FQA11N90-F109在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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FQA11N90-F109概述

MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P

FQA11N90-F109规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
制造商包装代码340BZ
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)1000 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)11.4 A
最大漏极电流 (ID)11.4 A
最大漏源导通电阻0.96 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)45.6 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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