DIODE GEN PURP 1KV 600A DO200
| 参数名称 | 属性值 |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) | 1000V |
| 电流 - 平均整流(Io) | 600A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
| 反向恢复时间(trr) | 3.5µs |
| 安装类型 | 接线柱安装 |
| 封装/外壳 | DO-200AB,B-PUK |
| 工作温度 - 结 | -40°C ~ 125°C |
| A437P | A437M | A437N | A437PE | A437PB | A437PD | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | DIODE GEN PURP 1KV 600A DO200 | DIODE GEN PURP 600V 600A DO200AB | DIODE GEN PURP 800V 600A DO200AB | DIODE GEN PURP 1.5KV 600A DO200 | DIODE GEN PURP 1.2KV 600A DO200 | DIODE GEN PURP 1.4KV 600A DO200 |
| 二极管类型 | 标准 | 标准 | 标准 | 标准 | 标准 | 标准 |
| 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) | 1000V | 600V | 800V | 1500V | 1200V | 1400V |
| 电流 - 平均整流(Io) | 600A | 600A | 600A | 600A | 600A | 600A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
| 反向恢复时间(trr) | 3.5µs | 3.5µs | 3.5µs | 3.5µs | 3.5µs | 3.5µs |
| 安装类型 | 接线柱安装 | 接线柱安装 | 接线柱安装 | 接线柱安装 | 接线柱安装 | 接线柱安装 |
| 封装/外壳 | DO-200AB,B-PUK | DO-200AB,B-PUK | DO-200AB,B-PUK | DO-200AB,B-PUK | DO-200AB,B-PUK | DO-200AB,B-PUK |
| 工作温度 - 结 | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved