8.2 pF, 25 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Zetex Semiconductors |
包装说明 | R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW NOISE |
最小击穿电压 | 25 V |
配置 | SINGLE |
二极管电容容差 | 5% |
最小二极管电容比 | 5 |
标称二极管电容 | 100 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
最大功率耗散 | 0.33 W |
认证状态 | Not Qualified |
最小质量因数 | 100 |
最大重复峰值反向电压 | 25 V |
最大反向电流 | 2e-8 µA |
反向测试电压 | 20 V |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
变容二极管分类 | HYPERABRUPT |
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