MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 90A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 3.1 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 51nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5300pF @ 15V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| IPD031N03M G | IPS031N03LGAKMA1 | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | MOSFET N-Ch 30V 90A IPAK-3 |
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