30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
漏源电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 9A |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 17 毫欧 @ 7A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1400pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 1.5W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装 | TSMT8 |
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