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QH8KA4TCR

产品描述30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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QH8KA4TCR概述

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

QH8KA4TCR规格参数

参数名称属性值
FET 类型2 个 N 沟道(双)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)9A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)17 毫欧 @ 7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1400pF @ 10V
功率 - 最大值1.5W
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商器件封装TSMT8
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