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SMLJ60S10-TP

产品描述DIODE GEN PURP 1KV 6A DO214AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小206KB,共3页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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SMLJ60S10-TP在线购买

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SMLJ60S10-TP概述

DIODE GEN PURP 1KV 6A DO214AB

SMLJ60S10-TP规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)1000V
电流 - 平均整流(Io)6A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 6A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 1000V
不同 Vr,F 时的电容150pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AB,SMC
供应商器件封装DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
SMLJ60S05
THRU
SMLJ60S10
6 Amp Surface Mount
Glass Passivated
Rectifier
50 - 1000 Volts
SMC (DO-214AB)
Features
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates
Compliant. See ordering information)
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
High Surge Current Capability
Low Leakage
Glass Passivated Chip
Operating Junction Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
MCC
Catalog
Number
Device
Marking
Maximum
Reccurrent
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum Ratings
G
H
SMLJ60S05
SMLJ60S1
SMLJ60S2
SMLJ60S4
SMLJ60S6
SMLJ60S8
SMLJ60S10
60S05
60S1
60S2
60S4
60S6
60S8
60S10
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
D
A
C
E
B
F
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.079
.108
.002
.006
.030
..305
.260
.220
MM
MIN
2.00
2.75
0.051
0.152
0.76
7.75
6.60
5.59
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
Capacitance
Note:
I
F(AV)
I
FSM
V
F
6.0A
200A
T
A
= 100°C
8.3ms, half sine
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
MAX
.103
.128
.008
.012
.060
.320
.280
.245
MAX
2.62
3.25
0.203
0.305
1.52
8.13
7.11
6.22
NOTE
1.0V
5µA
100µA
150pF
I
FM
= 6.0A;
T
J
= 25°C*
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
SUGGESTED SOLDER
PAD LAYOUT
0.190
I
R
C
J
0.125”
1.
High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex 7.
0.070”
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 1%
Revision:
D
www.mccsemi.com
1 of 3
2014/03/07

SMLJ60S10-TP相似产品对比

SMLJ60S10-TP SMLJ60S6-TP SMLJ60S2-TP SMLJ60S05-TP
描述 DIODE GEN PURP 1KV 6A DO214AB DIODE GEN PURP 600V 6A DO214AB DIODE GEN PURP 200V 6A DO214AB DIODE GEN PURP 50V 6A DO214AB
二极管类型 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1000V 600V 200V 50V
电流 - 平均整流(Io) 6A 6A 6A 6A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1V @ 6A 1V @ 6A 1V @ 6A 1V @ 6A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 1000V 5µA @ 600V 5µA @ 200V 5µA @ 50V
不同 Vr,F 时的电容 150pF @ 4V,1MHz 150pF @ 4V,1MHz 150pF @ 4V,1MHz 150pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 DO-214AB,SMC DO-214AB,SMC DO-214AB,SMC DO-214AB,SMC
供应商器件封装 DO-214AB(SMC) DO-214AB(SMC) DO-214AB(SMC) DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
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