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JANTX1N4150-1

产品描述DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小193KB,共2页
制造商M/A-COM Tech(MACOM)
官网地址http://www.macom.com
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JANTX1N4150-1在线购买

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JANTX1N4150-1概述

DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35

JANTX1N4150-1规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)50V
电流 - 平均整流(Io)300mA(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf740mV @ 10mA
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)4ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100nA @ 50V
不同 Vr,F 时的电容2.5pF @ 0V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装DO-35
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C
通知QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。参见条款和条件。

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Silicon Switching Diodes
1N4150, 1N4150-1 & 1N3600
Features
Available in JAN, JANTX, and JANTXV per MIL-PRF-19500/231
Metallurgically Bonded
Hermetically Sealed
Double Plug Construction
Maximum Ratings
Operating & Storage Temperature: -65°C to +175°C
Operating Current: 300 mA @ TA = +25°C
Derating: 2.0 mA dc/°C Above TL = + 75°C @ L = 3/8”
Surge Current A:
Surge Current B:
2A (pk) tp = 8.3 mS, VRM = 0
4A (pk) tp = 1 us, VRM = 0
Electrical Specifications @ +25 ºC (Unless Otherwise Specified)
VBR
TYPE
Number
IR = 10
μA
V dc
1N3600
1N4150, -1
75
75
V (pk)
50
50
VRWM
IR1
VR = 50 Vdc
TA = 25 °C
μA
dc
0.1
0.1
IR2
VR = 50 Vdc
TA =150°C
μA
dc
100
100
C
IR = 0; f = 1 MHz
ac signal = 50 mV (p-P)
pF
2.5
2.5
Trr
IF = IR = 10 to 100 mA dc
RL = 100
Ω
ns
4.0
4.0
Forward Voltage Limits - All Types
VF1
IF = 1 mA dc
Limits
V dc
minimum
maximum
0.540
0.620
V dc
0.660
0.740
VF2
IF = 10 mA dc
VF3
IF = 50 mA dc
(Pulsed)
V dc
0.760
0.860
VF4
IF = 100 mA dc
(Pulsed)
V dc
0.820
0.920
VF5
IF = 200 mA dc
(Pulsed)
V dc
0.870
1.000
Outline Drawing
LEADED DESIGN DATA
0.080 MAX
2.03 DIA
1.000
MIN
25.400
CASE: Hermetically sealed glass case per MIL-S-19500/231, DO – 35
LEAD MATERIAL: Copper clad steel
LEAD FINISH: Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
ӨJL
): 250 °C/W maximum at L = 0.375 in
THERMAL IMPEDANCE: (Z
ӨJX
): 70 °C/W maximum
POLARITY: Cathode end is banded.
POLARITY
BAND
(CATHODE)
0.175
MAX
4.44
0.018 / 0.022
DIA
0.457 / 0.559
1.000
MIN
25.400
All dimensions in INCH
mm
Revision Date: 2/5/2013
1

JANTX1N4150-1相似产品对比

JANTX1N4150-1
描述 DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
二极管类型 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 50V
电流 - 平均整流(Io) 300mA(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 740mV @ 10mA
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 4ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 50V
不同 Vr,F 时的电容 2.5pF @ 0V,1MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装 DO-35
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C
通知 QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。参见条款和条件。
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