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RN4606(TE85L,F)

产品描述TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小251KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN4606(TE85L,F)概述

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

RN4606(TE85L,F)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)80
元件数量2
极性/信道类型NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON

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RN4606
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN/PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor)
RN4606
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
Unit: mm
Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
R1: 4.7kΩ
R2: 47kΩ
(Q1, Q2 Common)
JEDEC
2-3N1A
Q1 Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Rating
−50
−50
−5
−100
Unit
V
V
V
mA
JEITA
TOSHIBA
Weight: 0.015g (typ.)
Q2 Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Rating
50
50
5
100
Unit
V
V
V
mA
Start of commercial production
1988-11
1
2014-03-01
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