MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 4.3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 13V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 950 毫欧 @ 1.2A，13V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 231pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 53W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| IPD50R950CEATMA1 | IPI50R380CE | IPP50R500CEXKSA1 | IPW50R280CEFKSA1 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252 | 500V CoolMOS CE Power Transistor | MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220 | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247 |
| FET 类型 | N 沟道 | - | N 沟道 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | - | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | - | 500V | 500V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 4.3A（Tc） | - | 7.6A（Tc） | 13A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 13V | - | 13V | 13V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 950 毫欧 @ 1.2A，13V | - | 500 毫欧 @ 2.3A，13V | 280 毫欧 @ 4.2A，13V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 100µA | - | 3.5V @ 200µA | 3.5V @ 350µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10.5nC @ 10V | - | 18.7nC @ 10V | 32.6nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 231pF @ 100V | - | 433pF @ 100V | 773pF @ 100V |
| 安装类型 | 表面贴装 | - | 通孔 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 | - | PG-TO220-3-1 | PG-TO247-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | - | TO-220-3 | TO-247-3 |
微控制器 MCU
模拟电子
综合技术交流
51单片机
单片机
51单片机
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
