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TS1109-20ITD833T

产品描述IC AMP CURR SENSE BID 20V 8TDFN
产品类别半导体    模拟混合信号IC   
文件大小857KB,共20页
制造商Silicon Laboratories Inc
标准
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TS1109-20ITD833T在线购买

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TS1109-20ITD833T概述

IC AMP CURR SENSE BID 20V 8TDFN

TS1109-20ITD833T规格参数

参数名称属性值
放大器类型电流检测
电路数1
电流 - 输入偏置300pA
电压 - 输入失调100µV
电流 - 电源1.3µA
电压 - 电源,单/双(±)1.7 V ~ 5.25 V
工作温度-40°C ~ 85°C
安装类型表面贴装
封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装8-TDFN(3x3)

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TS1109 Data Sheet
TS1109 Bidirectional Current-Sense Amplifier with Buffered Bipo-
lar Output
The TS1109 incorporates a bidirectional current-sense amplifier plus a buffered bipolar
output with an adjustable bias. The internal configuration of the TS1109 high-side cur-
rent-sense amplifier is a variation of the TS1101 bidirectional current-sense amplifier,
consuming 0.68 µA(typ) and 1.2 µA(max). The current-sense amplifier’s buffered output
consumes only 0.76 µ A(typ) and 1.3 µA(max) of supply current. With an input offset volt-
age of 150 µV(max) and a gain error of 1%(max), the TS1109 is optimized for high preci-
sion current measurements
Applications
• Power Management Systems
• Portable/Battery-Powered Systems
• Smart Chargers
• Battery Monitoring
• Overcurrent and Undercurrent Detection
• Remote Sensing
• Industrial Controls
KEY FEATURES
• Low Supply Current
• Current Sense Amplifier: 0.68 µA
• I
VDD
: 0.76 µA
• High Side Bidirectional Current Sense
Amplifier
• Wide CSA Input Common Mode Range: +2
V to +27 V
• Low CSA Input Offset Voltage: 150
µV(max)
• Low Gain Error: 1%(max)
• Two Gain Options Available:
• Gain = 20 V/V : TS1109-20
• Gain = 200 V/V : TS1109-200
• 8-Pin TDFN Packaging (3 mm x 3 mm)
silabs.com
| Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.0

TS1109-20ITD833T相似产品对比

TS1109-20ITD833T TS1109-200ITD833T TS1109-200DB TS1109-20DB
描述 IC AMP CURR SENSE BID 20V 8TDFN IC AMP CURR SENSE BID 200V 8TDFN DEMO BOARD TS1109-200 OPAMP DEMO BOARD TS1109-20 OPAMP
放大器类型 电流检测 电流检测 电流检测 电流检测
电压 - 电源,单/双(±) 1.7 V ~ 5.25 V 1.7 V ~ 5.25 V 1.7 V ~ 5.25 V 1.7 V ~ 5.25 V
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