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RJU4352SDPD-E0#J2

产品描述DIODE GEN PURP 430V 20A TO252
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小55KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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RJU4352SDPD-E0#J2概述

DIODE GEN PURP 430V 20A TO252

RJU4352SDPD-E0#J2规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)430V
电流 - 平均整流(Io)20A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.8V @ 20A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)25ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流1µA @ 430V
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装TO-252
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

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Preliminary
Data Sheet
RJU4352SDPD-E0
430V - 20A - Single Diode
Ultra Fast Recovery Diode
Features
Ultra fast reverse recovery time: t
rr
= 25 ns typ. (at I
F
= 20 A, di/dt = 100 A/μs)
Low forward voltage: V
F
= 1.5 V typ. (at I
F
= 20 A)
Low reverse current: I
R
= 1
μA
max. (at V
R
= 430 V)
R07DS1271EJ0100
Rev.1.00
Oct 25, 2013
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZJ-A
(Package name : TO-252)
4
2, 4
1.
2.
3.
4.
Anode
Cathode
Anode
Cathode
12
3
1
3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Maximum reverse voltage
Continuous forward current
Symbol
V
RM
I
F
I
F
I
FSM
θj-cd
Tj
Tstg
Ratings
430
20
10
80
2.5
150
–55 to +150
Unit
V
A
A
A
°C/W
°C
°C
Tc = 25°C
Tc = 100°C
Peak surge forward current
Junction to case thermal resistance
Junction temperature
Storage temperature
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Forward Voltage
Reverse current
Reverse Recovery Time
Symbol
V
F
I
R
t
rr
Min
Typ
1.5
25
Max
1.8
1
Unit
V
μA
ns
Test conditions
I
F
= 20 A
V
R
= 430 V
I
F
= 20 A, di/dt = 100 A/μs
R07DS1271EJ0100 Rev.1.00
Oct 25, 2013
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