电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N4148WS-HG3-18

产品描述SWITCHING DIODE GENPURP SOD323-H
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小98KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

1N4148WS-HG3-18在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N4148WS-HG3-18 - - 点击查看 点击购买

1N4148WS-HG3-18概述

SWITCHING DIODE GENPURP SOD323-H

1N4148WS-HG3-18规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codeunknown
Factory Lead Time10 weeks
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.2 W
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
1N4148WS-G
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Small Signal Fast Switching Diode
FEATURES
• Silicon epitaxial planar diode
• Fast switching diodes
• AEC-Q101 qualified available
• Base P/N-HG3 - green, AEC-Q101 qualfied
• Base P/N-G3 - green, commercial grade
• Material categorization:
for definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
MARKING
(example only)
XY
Bar = cathode marking
XY = type code
MECHANICAL DATA
22610
Case:
SOD-323
Weight:
approx. 4 mg
Packaging codes / options:
18/10K per 13" reel (8 mm tape), 10K/box
08/3K per 7" reel (8 mm tape), 15K/box
DESIGN SUPPORT TOOLS
click logo to get started
Models
Available
PARTS TABLE
PART
1N4148WS-G
1N4148WS-HG
ORDERING CODE
1N4148WS-G3-08 or 1N4148WS-G3-18
1N4148WS-HG3-08 or 1N4148WS-HG3-18
CIRCUIT CONFIGURATION
Single
TYPE MARKING
AH
REMARKS
Tape and reel
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Reverse voltage
Repetitive peak reverse voltage
Average rectified current half wave rectification
with resistive load
(1)
Surge forward current
Power dissipation
(1)
TEST CONDITION
SYMBOL
V
R
V
RRM
VALUE
75
100
150
350
200
UNIT
V
f
50 Hz
t < 1 s and T
j
= 25 °C
I
F(AV)
I
FSM
P
tot
mA
mW
Note
(1)
Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Thermal resistance junction to ambient air
(1)
Junction temperature
Storage temperature range
Operating temperature range
Note
(1)
Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
TEST CONDITION
SYMBOL
R
thJA
T
j
T
stg
T
op
VALUE
650
150
-65 to +150
-55 to +150
UNIT
K/W
°C
°C
°C
Rev. 1.4, 31-Jan-18
Document Number: 85413
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

1N4148WS-HG3-18相似产品对比

1N4148WS-HG3-18 1N4148WS-HG3-08
描述 SWITCHING DIODE GENPURP SOD323-H SWITCHING DIODE GENPURP SOD323-H
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code unknown unknown
Factory Lead Time 10 weeks 10 weeks
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 0.15 A 0.15 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
最大功率耗散 0.2 W 0.2 W
参考标准 AEC-Q101 AEC-Q101
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
高通又摊上事儿了:真假“高通”对簿公堂
本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 19:50 编辑 继苹果公司被深圳唯冠公司以商标侵权起诉后,美国另一大世界500强公司QUALCOMM再次遭遇中国公司维权起诉。QUALCOMM公司在中国被熟知的是其 ......
azhiking 消费电子
Linux内核的链表操作
Linux内核的链表操作本文详细分析了 2.6.x 内核中链表结构的实现,并通过实例对每个链表操作接口进行了详尽的讲解。 一、 链表数据结构简介 链表是一种常用的组织有序数据的数据结构,它通过 ......
18538579903 stm32/stm8
利用模拟分析设计基板天线
天线主要功能是将缆线与print pattern传来的电气信号转换成电波释放至自由空间,或是捕捉漫游在自由空间的电波并转换成电气信号,因此对通信电子产品而言,天线是非常重要的元件。天线设 ......
fly 无线连接
incompatible memory model
我编写的C51程序在编译后提示说DATA SEGMENT TOO LARGE,所以我就将部分变量改成idata型,而且将memory module改成large:variable XDATA,在编译后就有提示说error:incompitable memory model ......
li32359 嵌入式系统
紧急求援!
求8051四位LED倒计时时钟程序设计 P2.4-P2.7位码输出口,P0段码输出口 采用反向驱动 有图及详细解释...
dld2 嵌入式系统
MOS管的电荷 延时时间 上升时间 电容 都是指哪两个脚的参数?
MOS管的电荷 延时时间 上升时间 电容 都是指哪两个脚的参数? ...
QWE4562009 51单片机

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 195  472  368  33  726  59  47  43  4  51 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved